- МОП ИС на сапфире
- abbr
microel. integrierte MOS-Schaltung auf Saphirsubstrat, integrierte MOS-Schaltung in SOS-Technik, integrierter MOS-Schaltkreis auf Saphirsubstrat
Универсальный русско-немецкий словарь. Академик.ру. 2011.
МОП ИС на сапфире
Смотреть что такое "МОП ИС на сапфире" в других словарях:
МОП-структура типа кремний на сапфире — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… … Radioelektronikos terminų žodynas
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
FOCUS — микропроцессор производства компании 1982 году. Стал первым коммерческим, однокристальным, полностью 32 битным ЦПУ выпущенным на рынок. В то время все 32 битные микропроцессоры конкурентов (DEC, микросхем, составлявших модульную конструкцию ЦПУ.… … Википедия
HP FOCUS — Центральный процессор Производство: с 1982 года Производитель: Hewlett Packard Частота ЦП: 10 24 (опытный, серийные 18) МГц Технология производства: NMOS III, 1,5 мкм Наборы инструкций: HP FOCUS HP FOCUS … Википедия
MOS-on-sapphire structure — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… … Radioelektronikos terminų žodynas
MOS/Silizium-auf-Saphir-Struktur — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… … Radioelektronikos terminų žodynas
